【研究报告内容摘要】
薄膜沉积设备:半导体制造环节中的重要设备。半导体制造中的薄膜沉积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺,这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积有化学和物理工艺之分,具体而言可分为化学气相沉积(cvd,15%,gartner统计的2018年占半导体制造设备比重数据,下同)、物理气相沉积(pvd或溅射,4%)、其他沉积(3%)三大类。按2018年gartner的划分,cvd中管式cvd占18%、非管式低压cvd占16%、原子层沉积ald占16%、等离子体cvd(包括pecvd和hdpcvd)占49%;其他沉积中,电镀占27%、mocvd占31%、外延占37%、旋涂绝缘介质sod占2%。
下游需求与技术演进带来沉积设备市场增长。从行业空间来看,薄膜沉积设备一方面长期受益全球半导体需求增加与产线产能的扩充,另一方面受益于技术的演进带来的增长机遇,包括制程进步、多重曝光与3dnand存储技术。根据semi的统计,2018年全球半导体设备达到645.3亿美元,其中晶圆处理设备为502亿美元,其中计算可得2018年cvd设备和其他沉积设备的全球市场规模分别达85.1亿美元和42.7亿美元。
壁垒高企,国外厂商占据沉积设备绝大部分市场。根据gartner2018年的数据,cvd前三大厂商应用材料、lam和东京电子占据全球74%的份额,pvd仅应用材料一家就占据了74%的份额,其他沉积设备前三大厂商应用材料、lam和aixtron占据67%的份额。国内设备厂商中占有一定份额的是北方华创(pvd占比1.4%)和中微公司(其他沉积占7%,主要为mocvd设备)。
国内沉积设备迎来技术与订单突破,持续受益国产替代机遇。国内集成电路沉积设备主要厂商为北方华创和沈阳拓荆,近年来两家公司分别在技术储备以及客户认证方面取得良好进展。北方华创官网与年报显示,公司pvd设备应用跨越90纳米至14纳米的多个技术代,12寸pvd、ald以及lpcvd设备进入集成电路主流代工厂。沈阳拓荆官网显示其pecvd、ald上具有一定进展,其中12英寸pecvd设备,可用于40-28纳米集成电路的生产,并具有14-5纳米技术的延伸性。根据中国招标网,2018年中标长江存储pvd订单一共2台,均来自北方华创,2019年12台pvd中也有1台来自北方华创。同时2019年17台pecvd中有4台来自沈阳拓荆。
投资建议。建议关注北方华创(pvd)、沈阳拓荆(cvd,未上市)和中微公司(mocvd,参股沈阳拓荆)。
风险提示。技术更新换代风险;下游投资不及预期风险;专利风险等。

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